寬能隙(Wide Band Gap; WBG)半導體電力電子元件及材料已成為全球次世代功率產品及應用重要的技術。中科院自104年起執行高功率模組產業及應用生根計畫，進行寬能隙半導體材料開發及元件製造研發，為台灣半導體產業注入一股新動能。以碳化矽單晶、氮化鎵為元件材料，克服耐高電壓、耐高溫及高頻操作性等元件問題，並開發高功率模組之關鍵技術，為我國高功率模組產業及後續軍民通用科技應用之研發佈局奠定基礎。本次技術研討會由中科院邀請在氮化鎵(GAN)功率模組設計與測試驗證具實務經驗之專家，以「GaN HEMT全球市場與技術發展現況」及「GaN HEMT電路設計實務與常見應用問題分享」為專題進行演講，與國內各界分享交流。在此，誠摯邀請您撥冗參加此盛會，並藉此機會與國內相關產業先進作技術及經驗交流，期能促成上下游廠商的合作結盟，紮根台灣，跨足國際！
一、時 間：2016年03月22日 (二) 下午1:30~4:30
二、地 點：台北市中山區德惠街16-8號2樓208會議室
三、邀請參與對象：公司負責人、高階經理人、產品經理人、研發工程師等歡迎報名參加。
四、研討會議程: (研討會議程最終以會議現場公佈為主)
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時間
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議程
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主席/講者
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1:00-1:30
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報到
(1:30研討會正式開始)
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1:30-2:30
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GaN HEMT全球市場與技術發展現況
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Transphorm公司
張文賓 總經理
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2:30-2:50
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中間休息
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2:50-3:50
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GaN HEMT電路設計實務與常見應用問題經驗分享
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Transphorm公司
劉仁義 經理
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3:50-4:30
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中科院、Transphorm公司與參與廠商(含聯盟成員)
技術與產業推動交流
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中科院、Transphorm
及與會者
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五、專報主席、講者簡介：
- 主題：GaN HEMT全球市場與技術發展現況
- 主講人：張文賓 總經理（Transphorm Inc.台灣地區總經理）
- 主題：GaN HEMT電路設計實務與常見應用問題經驗分享
- 主講人：劉仁義 經理（Transphorm Inc.台灣地區經理）
六、備註：
- 因名額有限，請儘速報名，若報名貴賓超額，本院將在研討會前五天確認報名。
- 如貴賓臨時不能參加，請五天前通知我們，可另派其他同階級的成員參加。