EPC推出EPC2101 60V強化型單片GaN功率半橋元件。透過整合兩個eGaN功率FET到單一裝置，互連電感和印刷電路板的空隙，使晶體管在電路板佔用的面積減少50%。 EPC2101是理想的高頻DC-DC轉換器，該元件增加效率（特別是在較高的頻率）與功率密度，也同時降低了組裝成本。當系統在500kHz頻率下開關從28V轉至1V之降壓轉換時，電流14A時系統效率接近87%，而電流30A時則超過82%。而與其他元件相比，EPC2101以減少50%面積的大小，達到同等的效率。 每個EPC2101半橋元件的裝置，都具有60V的額定電壓。FET上方有一個典型8.4mΩ 的RDS(on)，而FET下方則是2mΩ 的RDS(on)。高側FET的尺寸是低側裝置的四分之一，優化DC-DC的轉換效率。EPC2101採用的是晶片級的封裝，以提高開關速度與散熱性能，並且是唯一尺寸為6.05 mm x 2.3 mm即可增加高功率密度的元件。