氮化鎵(GaN)與矽(Si)、碳化矽(SiC)等元件之間的差異為元件的基本「型態」，圖1所示為使用氮化鎵(GaN)電子元件的一般結構，電晶體包含源極、閘極及汲極等3種電極，矽(Si)、碳化矽(SiC)元件一般所採用的電極結構為「垂直型」，亦即源極與閘極位於同一面，汲極位於機板側，而氮化鎵(GaN)則採用源極、閘極和汲極等電極全部在同一面的「水平型」結構，目前業界大多以此種「水平型」結構為研究對象，採用「水平型」結構的理由為利用存在於氮化鋁鎵-氮化鎵(AlGaN/GaN)界面中的2D電子氣體(2DEG)作為