SiC和GaN為何適作功率元件GaN的晶體生長曾經也是一大課題。關於這一材料，1986年名古屋大學教授赤崎勇（現任名城大學教授、名古屋大學名譽教授）等人採用“低溫沉積緩沖層技術”，在藍寶石基板上生長出了高品質GaN晶體，以此為突破口，該材料的研究取得了進展。以后來的GaN藍色LED開發為契機，GaN的研發在世界各地活躍起來，技術開發快速推進。