近年來，在全球都在尋求解決供電問題的大環境下，如何有效地輸送及使用所發電力的"功率轉換"相對重要性提高。SiC功率元件因可顯著減少功率轉換時損耗而成為備受矚目的關鍵性元件。ROHM一直在進行領先行業的相關產品研發，於2010年成功實現SiC MOSFET的量產，並在持續推進可進一步降低功率損耗的元件研發。目前ROHM研發出採用溝槽結構的SiC-MOSFET，並已建立起了完備的量產體制,與量產中的平面型SiC-MOSFET相比，同一晶片尺寸的導通電阻可降低50%，這將大幅降低太陽能發電用功率調節器和工業設備用電源、工業用變流器等所有相關設備的功率損耗。
另外，此次研發的SiC-MOSFET計畫將推出功率模組及離散式封裝產品，目前已建立起了完備的功率模組產品的量產體制。前段製程的工廠為ROHM Apollo Co., Ltd.（日本福岡縣），後段製程的工廠為ROHM總部工廠（日本京都市）。
資料來源: 半導體製造商台灣ROHM網站 (2015-08-07) (夏宏中提供)