2015/09/08-10在瑞士日内瓦舉行的第１７届功率電子和應用會議上，來自加拿大的氮化鎵功率轉換半導體研發企業 ＧａＮ Ｓｙｓｔｅｍｓ公司首次推出了一款型號為 ＧＳ６６５４０Ｃ的６５０Ｖ、１００Ａ 高電流氮化鎵功率晶體管。該公司依據於其專利Ｉｓｌａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ技術研發６５０Ｖ系列氮化鎵功率晶體管，該高密度元件據稱能實現較高的功率轉換效率，開關速率較高(＞１００Ｖ／ｎＳ)，且熱損耗較小。ＧＳ６６５４０Ｃ封裝技術也同時升級為ＧａＮ表面貼裝ＰＸ封裝，尤其適用於較高工作電流條件，能保證較低電導和表面貼裝穩健性，滿足工業和汽車領域之功率模塊的功能需求。新產品和芯片級產品尺寸相仿，没有引線接合，能超越傳统矽材料ＭＯＳＦＥＴ和ＩＧＢＴ，帶來開關和電導性能的變革性突破。目前產品樣品已經送達主要客户，包括 ＯＥＭ 和一级製造商，並且逐步應用於太陽能、工業和汽車領域。 同樣在 ＥＰＥ１５上，ＧａＮ Ｓｙｓｔｅｍｓ將展示多種用户平台，包括２ｋＷ 商用汽車反相器。 ＧａＮ Ｓｙｓｔｅｍｓ公司是該行業内首先發展生產較完整系列的氮化鎵增强型 ０２ ＨＥＭＴ功率元件的公司，產品額定功率為７Ａ 到２５０Ａ，电壓條件６５０Ｖ 和１００Ｖ 範圍。公司專有的Ｉｓｌａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ芯片設計技術，結合較低的電導和熱控效率較高的 ＧａＮＰＸ封裝技術，使新產品相較傳统的矽材料 ＭＯＳＦＥＴ 和ＩＧＢＴ具有較優異性能。
資料來源: Semiconductor Information , (2015-09) (夏宏中提供)