ＧａＮ Ｓｙｓｔｅｍｓ公司聲稱最新研發出世界上最小的６５０Ｖ，１５Ａ 的氮化鎵晶体管。新型晶体管 ＧＳ６６５０４Ｂ其尺寸大小為５．０ｍｍ×６．５ｍｍ，屬於７Ａ 到２００Ａ 範圍、６５０Ｖ器件系列產品的新成員，相較同類產品的尺寸缩小５０％。 ＧａＮ Ｓｙｓｔｅｍｓ的首席執行官Ｊｉｍ Ｗｉｔｈａｍ 表示：“我們有點驚訝地看到，在 ＰＣＩＭ 電力電子展覽和會議上，採用８ｍｍ×８ｍｍ 双扁平無引線（ＤＦＮ）封裝的氮化鎵６００Ｖ，１５Ａ 器件被稱為世界最小增强型設備,而我們的產品顯然更小。但我想這也暗示了氮化鎵市場發展的迅速，並且矽材料已經達到性能的極限。” 他補充到：“我們總是向設計師傳達這樣的信息，氮化鎵材料可以在多種多樣的應用中大展身手，如平板面電視，遊戲機，洗衣機，逆變器，電動汽車和一些更廣闊的領域中。如果你們不跟上時代，採用氮化鎵技術，你們就會落後於競争對手。” 公司稱，相較傳统的矽材料 ＭＯＳＦＥＴ 和ＩＧＢＴ，該氮化鎵晶体管可提供優於其４０倍的開關和傳導性能。ＧａＮ Ｓｙｓｔｅｍｓ公司將這一巨大的性能提升於 ＧａＮ ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒｓ’Ｉｓｌａｎｄ Ｔｅｃｈｎｏｌｏｇｙ的芯片設計，並且結合了以及極低的電感優势，具有優異的熱效應的 ＧａＮ ＰＸＴＭ封裝、優異的温度效率和 Ｄｒｉｖｅ Ａｓｓｉｓｔ技 術。現在這一最新產品已經利用全球的分銷網络銷往各地。
資料來源: Semiconductor Information ( 2015-03) (夏宏中提供)