美國科瑞公司日前推出一種工作頻率範圍為６～１２ＧＨｚ的２５Ｗ 氮化鎵單片微波集成電路。利用氮化鎵技術的優異特性，新型單片微波集成電路具有極寬的帶寬和瞬態寬帶性能，可用於替代行波管放大器，適用於雷達、阻塞器、測試設備以及寬帶放大器等應用領域。新型單片微波集成電路基於科瑞公司的氮化鎵高電子遷移率晶体管，採用 ０．２５微米栅長製造技術構建在碳化矽基底上。該公司表示，碳化矽上氮化鎵相對於矽、砷化鎵以及矽上氮化鎵等，在擊穿電壓、電子飽和遷移速度以及熱傳導性等方面具有優異特性。氮化鎵高電子遷移率晶体管也能提供比矽、砷化鎵和矽上氮化鎵更大的功率密度和更大的带寬。新型氮化镓單片微波集成電路功率放大器可用做管芯或採用更好散熱的１０脚陶瓷法蘭封裝。兩者都能在６～１２ＧＨｚ提供３０％的附加功率效率，以等幅波形式提供３５Ｗ 的輸出功率，可以罕見地將工作電壓提升至２８Ｖ，而尺寸為 ０．４４ｃｍ×０．６１ｃｍ×０．０１ｃｍ。管芯形式的小信号增益為３２ｄＢ，典型飽和輸出功率為３０Ｗ，封裝形式的小信号增益為３３ｄＢ，典型飽和輸出功率為３５Ｗ。
資料來源: Semiconductor Information ( 2015-02) (夏宏中提供)