ＩＤＴ公司和 ＥＰＣ公司近日决定合作，將ＩＤＴ 公司的矽技術和 ＥＰＣ的氮化鎵技術相互结合，携手開發針對通信、計算機基礎設施、無限電功率和射频電路領域的新型元件。對於通信基礎設施應用來說，氮化鎵材料電容較低，ＱＲＲ值為０，芯片尺寸的封裝造成的低電感，使得其在高頻條件下工作效率較高。兩公司携手合作， 期望能够结合ＩＤＴ公司系统運行的專業經驗，以提高功率密度，形成在通信和計算機基礎設施领域核心競争力，保證發展優勢。 對射頻應用，兩家公司將會探索合作，針對通信基礎設施市場並創一系列射频產品。“氮化镓材料有望實現更高的性能，為客户提供有差異性的產品。” ＩＤＴ公司的副總裁Ｓａｉｌｅｓｈ Ｃｈｉｔｔｉｐｅｄ表示，“ＥＰＣ公司在氮化鎵基功率元件領域的領導性優勢是我們選擇他們作為合作伙伴的首要因素，我十分期待在不遠的將來，氮化鎵基的產品充分發揮材料的優異特質，為市場的發展助力。”
資料來源: Semiconductor Information , (2015-03) (夏宏中提供)