氮化鋁鎵/氮化鎵高電子遷移率電晶體（AlGaN/GaN HEMT）具有寬能隙（約3.4 eV）、高崩潰電壓、高臨界崩潰電場以及高電子飽和漂移速率、高峰值電子速率、高電子飽和速率等優點，因此適用於功率電子方面及高頻通訊方面的應用。
為了滿足高功率電晶體元件之散熱需求，本篇文章提出一封裝方式，利用V型凹槽之銅座設計以提升矽基板的散熱能力，其相關之結構設計與封裝過程皆詳述其後。由於功率元件在電性操作下必定會有功率的損失，尤其是閘極開關瞬間的切換耗損，而其損失的能量大部份會轉化為熱能的形式，經熱傳導由元件到封裝再以熱對流傳熱至外部環境，為了研究與改善待測元件之熱管理，必須先了解元件操作下主動區（active region）之溫度分佈和熱點位置。
本研究先藉由電熱模擬（Silvaco）與熱分析模擬（Ansys Icepak）分析元件之電場強度分佈以及熱點溫度與位置，再由紅外線熱顯影（IR）實驗來實際量測元件主動區在操作下的溫度分佈趨勢和熱點位置，另外，利用拉曼光譜（Raman）實驗的縱向溫度量測確認二維電子氣層（2DEG）的位置，再作橫向面積的區域溫度量測，最後將實驗之結果與模擬作比較與驗證。
資料來源: 茆俊富碩士論文 (東海104年) (夏宏中提供)