環球晶圓公司將在「LED TAIWAN 2016」功率元件製造專區中，展出寬能隙半導體元件（Wide Bandgap Semiconductor Device）關鍵材料最新的研發成果。
環球晶圓為全球前六大半導體矽晶圓材料供應商，向來積極深耕具前瞻性之基板材料，此次專題展覽，將完整呈現環球晶圓致力發展寬能隙功率半導體關鍵材料，在功率半導體的產品研發與技術推進。
展會中，環球晶圓將依功率元件的應用功率，分別展出矽（Si）、氮化鎵（GaN）及碳化矽（SiC）的產品。矽產品將展出3”~ 12”晶圓，包括磊晶片、退火片、拋光片及SOI；氮化鎵產品將展出6”及8” Crack Free GaN/Si；及碳化矽產品將展出晶球及雙拋晶片。並將於展場上說明功率半導體市場需求的關鍵材料、技術及產品等相關資訊。
此外，環球晶圓營運暨研發副總經理徐文慶博士，將於4月13日13：30於功率元件創新技術發表會上，發表「寬能隙功率半導體的關鍵材料」的主題演講，將針對寬能隙功率半導體元件之關鍵材料，進行技術探討、產品應用領域介紹，並介紹環球晶圓於功率半導體全域應用的產品佈局及市場地位。
資料來源：聯合財經網 2016/04/11