- 發布日期：2018年03月19日
- 新聞作者予刊登媒體：新浪新聞
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安森美半導體推出了兩款全新碳化矽（SiC）MOSFET：工業級NTHL080N120SC1和符合AEC-Q101的汽車級NVHL080N120SC1。兩款全新碳化矽（SiC）MOSFET將把寬能帶隙（WBG）技術廣泛性能優勢帶到重要的高增長終端應用領域如汽車DC-DC、電動汽車車載充電機、太陽能、不斷電系統及伺服器電源。
安森美半導體的1200伏（V）、80毫歐（mΩ）、SiC MOSFET符合現代高頻設計的需求。它們結合高功率密度及高能效的工作優勢，由於元件的更小占位，可顯著降低運行成本和整體系統尺寸。這些特性使需要的熱管理更少，進一步減少物料清單（Bill of Materials；BoM ）成本、尺寸和重量。
安森美半導體電源方案部功率MOSFET分部副總裁暨總經理Gary Straker就新的SiC MOSFET的推出和公司寬能帶隙生態系統的總體增強表示：「最重要的應用和當前的大趨勢越來越要求超越常規矽元件的全方面性能。安森美半導體全面的SiC產品陣容因這兩款新MOSFET的推出而增強，並由含一系列工具和資源的生態系統支援，說明我們不僅可提供完整的寬能帶隙元件方案，還可引導工程師透過開發和導入設計流程實現預期功能的、具性價比、高可靠性及長使用壽命的方案。」
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