- 發布日期：2019年03月08日
- 新聞作者予刊登媒體：HiNet新聞
- 新聞內容：
氮化鎵(GaN)半導體設計和製造領域的領導者Transphorm Inc.今日宣布，其第三代通過JEDEC認證的高電壓GaN平臺已通過汽車電子協會(Automotive Electronics Council)汽車級離散半導體AEC-Q101標準的壓力測試。這項成果象徵著該公司實現了第二個獲得汽車認證的產品系列。並且，值得注意的是，第三代GaN平臺在認證測試期間表現出了最高可靠性，能夠在175°C的溫度下運作。
Transphorm第三代設備於2018年6月推出，作為當時最高可靠性、最高品質的GaN FET進入市場。品質和可靠性(Q+R)方面的改進使Transphorm有能力選擇JEDEC和AEC-Q101等擴展和加速標準測試。在本次最新通過的汽車認證中，該半導體製造商著重將該設備的耐熱極限較通過AEC-Q101認證的標準高電壓矽MOSFET提高25°C。
如同2019年1月發布的業界首個現場可靠性資料和首批早期壽命失效率計算結果（上文引用的FIT率的來源）所證明的一樣，該公司第二個經AEC-Q101認證的設備進一步證實了Transphorm的品質和可靠性。
- 網址出處：https://times.hinet.net/news/22263366