- 新聞標題：尼克森SiC搶市 2020放量出貨
- 發布日期：2019/12/27
- 新聞作者予刊登媒體：IEK產業情報網
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金氧半場效電晶體（MOSFET）廠尼克森（3317）研發已久的碳化矽（SiC）基板的高電壓接面位障蕭基二極體（Junction barrier Schottky diode，JBS），近期市場傳出已經研發完成。
法人指出，尼克森該款產品可望在2020年開始量產出貨，未來有機會進攻電動車及5G等高階應用市場。市場傳出，尼克森歷經數年研發的SiC基板高電壓接面位障蕭基二極體，目前已經完成研發階段，可分別對應在600V、650V及1200V等領域，並有機會在2020年開始放量出貨。
根據研調機構Yole Developpement調查指出，SiC相關市場規模在2023年將可望成長至13.99億美元，2017～2023年的年複合成長率（CAGR）達29％，未來汽車產業將成為重要推手。據了解，SiC基板高電壓接面位障蕭基二極體主要應用在高頻及高壓應用，且由於導入SiC元件，因此不僅可讓模組設計更小，且相較過去一般二極體更加耐高溫，也就代表承受極端環境能力更強，目前主要應用在電動車、車用電子及5G等需要安裝在戶外環境的場所。
由於SiC相關元件研發難度高，因此市場上主要供應廠商幾乎清一色為國際IDM廠如羅姆（ROHM）、意法半導體（ST）及英飛凌（Infineon）等。法人認為，尼克森在完成SiC基板高電壓接面位障蕭基二極體後，將可望直接與國際大廠競爭，並藉此攻入電動車、5G等高階市場。
尼克森在2019年由於營運策略調整得當，因此業績表現相對同業亮眼。
尼克森公告11月合併營收為2.47億元、月增10.7％、年成長32.5％，累計前十一月合併營收達25.81億元，相較2018年同期成長14.4％，寫下7年以來同期新高。
法人看好，隨著5G、AI等新應用需求將於2020年大舉到來，可望推動MOSFET需求回溫，加上尼克森可望切入SiC市場，在雙動能加持之下，2020年營運將可望比2019年更上一層樓。
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