中科院材電所所長程一誠（前排左起）、院長張忠誠、副院長徐炎廷、工程處處長黃金德共同剪綵。 中科院／提供
國家中山科學研究院「化合物半導體中心」，經過2年半的籌建，投入超過8億元經費，日前由院長張忠誠主持落成啟用儀式。
「化合物半導體中心」占地200多坪，設置10級、100級無塵室，並添購多項重要先進設備，主要進行微波元件及紅外線感測元件的研發及產製，除可滿足中科院各計畫的需求外，亦可做為產學研界化合物半導體研發合作的平台，促進整體產業的升級，成為國內重要的化合物半導體研發基地。
傳統矽半導體因自身發展侷限，亟需尋找下一世代半導體材料，而化合物半導體材料的高電子遷移率等特性，符合未來半導體發展所需，其終端產品除軍事用途外，並可透由5G通訊、車用電子與光通訊領域的應用所主導，以及化合物半導體技術的開發，應用於LED、功率電子、無線通訊、紅外線、太陽能與光通訊等領域，造就上千億的產值，為台灣帶來巨大的貢獻。