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高功率元件應用研發聯盟

半導體長晶及磊晶、元件設計與製程、模組封裝、產品應用

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4月份新聞彙整

    國外   

    受疫情影響,大陸第二季出口並不樂觀,日前中國官方提出針對的七個大方向基礎建設,包括5G、電動車充電樁、大數據中心等等,瑞銀指出大陸在5G建設方面大規模的推廣成本將達到1300億至2180億美元,包含了300多個城市,100多萬個5G基地台,是目前全球最大的投資規模。此外,智慧型手機市場是拉動5G重要推手,值得關注。

       大陸日前下達「新基建」政策指導,目前華為海思以及中興皆使用台積電七奈米製程,華為和中興正有意將供應鏈遷往大陸,從華為和中興的角度來說,封測廠設在大陸可保證大規模出貨不會受到海外封測產能限制。目前5G基站晶片已經在大陸開始封測,批量生產會在2020年第三季開始。

       隨著資料傳輸需求增大,過去的積體電路的技術發展也逐漸飽和,近年來荷蘭科學家成功合成出發光的矽合金奈米線以取代目前以銅為主的積體電路,有助於提升資料傳輸的速度,並且預計今年製造出矽基雷射器。

       麥拉倫(Mclaren)表示正在開發一種新型的合成燃料,是給予內燃機與純電動車之間的過渡產品,隨著油價下跌,電動車需求可能趨緩,目前電動車的電動馬達與電池已經證明電動車已經可以成為內燃機的替代方案,但是純電動車的高價位仍是一個痛點,Mclaren表示合成燃料並不能完全取代電動車,而是給傳統車廠一種新的思考模式以及技術的探索。

       大陸汽車暨新能源巨頭比亞迪宣布,將強攻半導體,旗下比亞迪微電子重組更名為比亞迪半導體,主攻成熟製程的功率半導體、車用絕緣柵雙極電晶體(IGBT)等利基型業務,茂矽、漢磊、嘉晶等中小型台資晶圓廠將首當其衝,比亞迪半導體鎖定車用為重心,以車用等利基型領域出發,與日商豐田在大陸的合資廠預計在5月啟動;比亞迪半導體不僅在車用IGBT超前台廠約五年左右,在當紅的SiC材料中也有突破,茂矽規劃在第2季將完成8吋與6吋共用IGBT晶背製程無塵室建置,成為台灣第一條車用IGBT產線。漢磊看好電動車等車用與工業用的市場商機,朝向毛利較高的GaN、SiC相關代工領域發展。

       Transphorm,Inc.今天宣布推出其第四代GaN平臺。與前幾代GaN技術相比,Transphorm的新一代技術在性能、可設計性和成本方面都有顯著進步。Transphorm今日還宣布,其第四代及以後的平臺都將相應地被稱為SuperGaNTM技術。

       資料中心的基礎設施需要以盡可能低的成本實現高效與可靠的電力,這將驅動不斷電供應系統(UPS)市場在未來幾年蓬勃發展。而與傳統基於矽的功率元件和其他選擇方案相比,基於碳化矽(SiC)的技術可極大提升資料中心的能源效率。

    國內

       中華電信目前首批5G設備已經核准入台,並於15日獲得5G開發許可證,中華電信預估將會於3年內建設一萬台的5G基地台,首要建設目標是以六都為主,目標於2020年全台人口覆蓋率達28%,2021年達47%,2022年達63%。

       仁寶與萊昂仕進行合作想要切入5G市場,仁寶看準萊昂仕提供之5G RAN(Radio Access Network)技術的能力,已滿足高速交換器、輕核網、小型基地台、智慧聯網裝置等系統整合解決方案的新需求。此做法是為跳脫以往代工思維,聯合萊昂仕一同合作打造5G專網生態鏈及產業整合能力。

       過去鴻海集團對於電動車市場給予特別高的期待,2015年、2017年與2018年鴻海集團由旗下子公司(富士康以及鴻騰精密)在大陸投資新創,和諧富騰(2015年)以解散收場,寧德時代新能源科技(2017年)於2019年撤資並實現獲利,小鵬汽車(2018年)與特斯拉有專利權上的糾紛因此鴻海集團選擇脫售股權,這次鴻海集團選擇與裕隆集團合資成立子公司開發電動車與物聯網車。

       一直以來,寬能隙半導體元件由於相較於矽基元件製程技術「年紀較輕」,並仍有些製程技術與良率…等問題待克服,因此成本較一般矽基元件高,以至於在某些應用領域中,普及度仍有待加強。不過,碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)這些寬能隙元件,受惠於在高頻環境能夠維持高效能的特性,以及高可靠性…等優勢,仍然在消費性電子、工業、再生能源與電動車(EV)領域,受到青睞。其中,電動車將是帶動寬能隙元件整體市場規模不斷擴張的主要應用市場。

       穩懋(3105)今(2020)年前兩月營收累積39.81億元,年成長68.64%,整體表現依舊優於市場預期,主要受惠於相關於5G砷化鎵的應用需求。外資長線看好穩懋的5G相關砷化鎵訂單,將僅會遞延而不會受疫情影響而完全消失。

       由於5G基建需要具備耐大電流及高功率的功率元件,因此碳化矽(SiC)及高功率積體電路磊晶開始被市場擴大採用。法人指出,漢磊科及嘉晶在SiC製程皆已經完成布局,其中漢磊科的4吋廠、6吋廠已經具備SiC製程的金氧半場效電晶體(MOSFET)及蕭特基二極體(SBD)量產能力,至於嘉晶則已經開始量產4吋及6吋SiC磊晶矽晶圓。

       三五化合物族群英特磊 IET-KY(4971-TW)、環宇 - KY (4991-TW) 短期受新冠肺炎 (COVID-19) 影響營運,展望未來,法人表示,英特磊持續投入國防訂單研發,而環宇與晶成合作的 6 吋晶圓廠,效益可望在今年下半年發酵,看好全球疫情緩和後,將成今年營運動能。

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