"技術特點 真空蒸鍍技術包含下列關鍵技術開發：加熱容器系統技術1500±1℃、蒸鍍均勻性±5%、硒蒸氣污染防治、加熱板及捲軸基板溫控550±5℃、高溫真空捲軸線速度20±1cm/min。 特色專利 可線性蒸鍍之蒸鍍設備噴頭 真空軟性太陽能電池光吸收層之製程設備及其製造方法 太陽能電池吸收層之快速熱處理加壓系統及其方法 產業效益 促成廣繼、佑順發、巨亞等公司投資4,600萬元，提升軟式基板R2R CIGS薄膜太陽能電池產業技術研發水準，降低產業對國外設備之依存度，提高國際競爭力並創造就業機會。
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