公告日期：2026/08/10
公告內容說明表
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公告名稱
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應用於n型氮化鎵功率元件的自舉式電容電壓補償方法
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技術領域
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光電半導體領域
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產業應用範圍
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電池模組、電源轉換器、電源控制器等領域產業
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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| 1 |
專利 |
應用於n型氮化鎵功率元件的自舉式電容電壓補償方法 |
智慧財產權公告摘要：
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項次1
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智慧財產權名稱
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應用於n型氮化鎵功率元件的自舉式電容電壓補償方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種應用於n型氮化鎵功率元件的自舉式電容電壓補償方法，包含下列步驟：本電路於上橋開啟時提供一路電流源驅動電路進行能量回補，使自舉式電容電壓(VCB)能完全達到上橋氮化鎵功率元件的驅動電壓值，減少臨界電壓(Vth, E-GaN)上移與閘極震盪現象(Gate Oscillation)，影響電源轉換器效率與氮化鎵功率元件驅動安全性，廣泛運用在Data center、微型電源系統等。 因為氮化鎵功率元件可以用在電源轉換器、或是電池模組的充放電控制電源上，作為開關元件，本應用之自舉式電容電壓補償方式能精準控制氮化鎵元件之驅動電壓，避免電源轉換器導通損失之增加，達到提升模組電源轉換效率之效果。
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| 專利申請國別及申請號 |
中華民國 |
I870121 |
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