公告日期：2025/11/20
公告內容說明表
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公告名稱
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紅外線感測薄膜濺鍍技術等6項
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技術領域
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材料光電領域
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產業應用範圍
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室溫紅外熱像關鍵技術應用範圍廣泛，如工業熱點檢測、無人化公司工廠運作監控、車用電子低照度行車安全辨識、醫療檢測與醫院安全防護、療養院住民照護、安防與居安監控、學校社區安全監控等產業。
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公告智權項目
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項次
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權利類別
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智慧財產權名稱
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1
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營業秘密
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紅外線感測薄膜濺鍍技術
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2
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專利
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紅外線抗反射膜結構
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3
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專利
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溫度量測校正方法、電子系統及校正迴歸係數表的產生方式
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4
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專利
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微阻器讀出電路與校正方法
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5
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專利
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高精準度非接觸式溫度量測裝置
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6
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專利
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紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法
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智慧財產權公告摘要:
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項次1
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智慧財產權名稱
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紅外線感測薄膜濺鍍技術
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權利類別
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營業秘密
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權利技術簡介(摘要)
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室溫熱像偵檢器所使用之感測材料，以氧化釩薄膜為發展主流。符合室溫熱像技術需求的氧化釩薄膜，需兼具高電阻溫度係數、適當的電阻率與良好的薄膜均勻性，在鍍膜過程需能有效控制薄膜成份，但因釩的氧化物存在多種價位，使氧化釩薄膜成為發展室溫熱像的關鍵技術。氧化釩(VOx)薄膜有多種製作技術，本技術為採用改良式磁控式反應濺鍍法所製備的VOx薄膜，經由基板施加直流偏壓，提升濺鍍原子的移動能力，即可促進V原子與O原子在鍍膜過程緊密排列，抑制孔洞產生，獲得與離子束法相近的顯微結構，並提升VOx薄膜的TCR值，先建立4英吋與6英吋VOx薄膜製程能量，提供試製室溫熱像所需VOx晶片，再持續改善製程技術。
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項次2
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智慧財產權名稱
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紅外線抗反射膜結構
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種紅外線抗反射膜結構，包括：一基材，其材料係為矽；一抗反射膜層，其材料係包含氧化鋅，包含一上抗反射膜層及一下抗反射膜層，該上抗反射膜層設置於該基材之上表面，該下抗反射膜層設置於該基材之下表面；其中，該基材係使用浮融帶長晶法方式所製備而成，該上抗反射膜層及該下抗反射膜層之厚度範圍係各為2至4.5微米。該抗反射膜層係為一單層氧化鋅。係為複數層氧化鋅與複數層高折射率材料彼此交替堆疊而成。該複數高折射率材料層之材料係為矽、鍺或砷化鎵。
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專利申請國別及證書號
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中華民國
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I646350
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項次3
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智慧財產權名稱
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溫度量測校正方法、電子系統及校正迴歸係數表的產生方式
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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為一種溫度量測校正方法，用於一溫度感測裝置，該溫度感測裝置包含有一機殼以及設置於該機殼內部之一焦平面陣列模組，該溫度量測校正方法包含有：量測一環境背景溫度、該機殼之溫度以及該焦平面陣列模組之操作溫度；根據該環境背景溫度、該機殼之溫度以及該焦平面陣列模組之操作溫度，決定出複數個熱輻射校正迴歸係數，該步驟包含有：查詢一校正迴歸係數表，以讀取對應於該環境背景溫度、該機殼之溫度以及該焦平面陣列模組之操作溫度之該複數個熱輻射校正迴歸係數，其中，該校正迴歸係數表係有關於該溫度感測裝置量測不同溫度之物體時所產生之電子訊號與該複數個熱輻射校正迴歸係數中之至少一熱輻射校正迴歸係數為固定值的情況下所計算出之結果；利用該溫度感測裝置感測一物體所輻射出之紅外線能量，以產生一電子訊號；以及根據該複數個熱輻射校正迴歸係數以及該電子訊號計算出該物體之一實際溫度值。
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專利申請國別及證書號
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中華民國
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I651519
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項次4
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智慧財產權名稱
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微阻器讀出電路與校正方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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一種微阻器讀出電路，其中包括:一萃取電路，係用來偵測一溫度變化之電壓訊號；一類比數位轉換器，連接於該萃取電路，並將該溫度變化之電壓訊號進行數位化；一影像處理電路，該類比數位轉換器連接於該影像
處理電路；以及該影像處理電路再分別於一增益數位類比轉換器與一抵消數位類比轉換器連接。
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專利申請國別及證書號
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中華民國
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I676010
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項次5
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智慧財產權名稱
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高精準度非接觸式溫度量測裝置
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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本發明係為一種高精準度非接觸式溫度量測裝置，包含一隔熱箱體，由隔熱材料製備而成，該隔熱箱體內部係具有一容置空間；一動態恆溫回饋控制模組，係用於控制該容置空間之溫度；一非測溫型熱顯像儀，係設置於該容置空間，本發明提出的架構將整體非接觸溫度量測儀內部進行系統絕熱保溫及並使系統整體溫度在動態恆定條件下，使其整個溫度量測系統以上述整體封閉系統動態溫度恆定調控，補償內部晶片自熱效應與視野背景溫度變異所造成的影響，最後結合熱顯像型非接觸溫度量測常用溫度校正演算法，就可用顯像型非接觸溫度量測儀求得待測物體表面精準的均溫值。
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專利申請國別及證書號
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中華民國
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I716229
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項次6
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智慧財產權名稱
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紅外線熱影像陣列模組驗證架構與製造方法
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權利類別
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專利
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權利技術簡介(摘要)
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IR陣列模組之光學物性驗證裝置，其包含一用於熱像模組規格設計、磊晶與光學物性之驗證模組，驗證內容：一感測紅外線波段；一感測模組紅外線穿透基板品質優劣；一底端高摻雜接觸層品質；一紅外線吸收層(IR Absorbing Layer)週期數；一本質層量子率與暗電流值；一能障阻擋層阻抗下活化能值；一頂端高雜質摻雜接觸層輸出效率；該模組更包含有：一材料沉積率校正架構；一週期架構完整性檢測均勻度>95%；一結構結晶品質檢測架構均勻度>90%；及一極性判斷率與參雜濃度校正誤差分別>98%與<0.5E1倍。
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專利申請國別及證書號
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中華民國
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I360881
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