發明人：
潘文玨 PAN, WEN-CHUEH賴哲雄 LAI, JER-SHYONG王鎰興 WANG, YIH-HSING范陽鑑 FANN, YANG-JIANN朱智偉 CHU, CHIH-WEI鍾興遼 CHUBG, HSING-LIAO許覺良 HSU, CHAUG-LIANN蔡明策 TSAY MING-TSEH鄭友仁 JENG, YEAU REN蔡孟勳 TSAI, MENG SHIUN
專利摘要：
本發明係有關於一種半導體銅製程整合極低介電常數材料之拋光方法,包含有下列步驟:A.備置一覆有銅質層整合極低介電常數材料之待拋光晶圓;B.使該銅質層進行化學反應,使該銅質層表面產生出一層具脆性材料性質之極表層生成物;C.持續對該極表層生成物施以超音波研磨;D.對晶圓之阻障層施以超音波研磨,達到拋光的效果。