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::: 可授權專利

一種濺鍍靶材的製造方法METHOD OF PRODUCING A SPUTTERING TARGET

創作型式：
專利證號：
I226907
發明人：
陳家驊 CHEN, CHIA HUA黃信二 HUANG, H. E.王心宥 WANG, S. Y.彭及富 PENG, C. F.李訓杰 LEE, S. J.葉建宏 YEH, CHIEN HUNG
國別：
中華民國
獲證日期：
20050121
專利摘要：
本發明係提出一種濺鍍靶材的製造方法，此方法係經由真空感應熔煉(Vacuum Induction Melting，簡稱VIM)製程及真空電弧精煉(Vacuum Arc Remelting，簡稱 VAR)製程，產生合金鈷鉻(CoCr)或是添加選自鎳、鉭、鉑、硼、矽、鋅、鈦、釤、鈮、磷、銠、鈀、鈧、鋯、鐵、鉿、錸等一種以上不同金屬所形成之合金，不須後續之鍛造加工，直接將VAR鑄造成型後之鑄錠切削成濺鍍用靶材，此製造方法在目前靶材市場未有相同的概念被提出。此製程適用於光電產業及半導體產業用高品質靶材之生產，其量產性高、成品率高、能有效降低生產成本，且靶材品質優良均一。
IPC國際分類號：
C23C-014/40(2006.01);(IPC 1-7) : C23C-014/40