專利摘要：
本發明為利用分子束磊晶，在成長砷化銦p及n區之間，插入一層高品質0.6~1.0μm未摻雜的磊晶層，可以得到不需要表面披覆膜，就能夠在室溫下操作的砷化銦p-i-n光偵測器,此元件的開發，不僅可以免除表面披覆膜的成長，而且能夠大幅地降低元件的漏電流，與p-n結構相比較，其漏電流可減少達四個級數以上。在一個典型沒有表面披覆膜而且插入了0.6~1.0μm未摻雜磊晶層的InAsp-i-n二極體，在500K黑體幅射的照射下，在77K時其所量測到的偵測度D*(specificdetectivity)為2.1x10^12cm-Hz^1/2/W，在室溫時其所量測到的偵測度為1.2 x10^10cm-Hz^1/2/W。而且此光伏型砷化銦偵檢器反應速度很快，操作頻率可輕易的達到100MHz以上，在室溫熱像系統的應用上，極具發展潛力且應用非常方便的發明。