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::: 可授權專利

化合物半導體元件製程

創作型式：
專利證號：
103436
發明人：
程亞桐楊淑萍
國別：
中華民國
獲證日期：
19990501
專利摘要：
本發明係提供化合物半導體元件，以反應性離子蝕刻方式蝕刻陽極處理層，製作金屬接觸窗，可提高製程良率，縮短製程時間。
IPC國際分類號：
H01L-021/768(2006.01);(IPC 1-7) : H01L-021/768