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::: 可授權專利

化合物半導體元件陽極處理製程

創作型式：
發明
專利證號：
TWI237854
發明人：
楊淑萍
國別：
中華民國
獲證日期：
2004/05/05
專利摘要：
本發明係提供化合物半導體元件，以陽極處理方式製作氧化層，其製作方式之改進，可改善元件特性均勻性，提高製程良率。
IPC國際分類號：
H01L0021306