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::: 可授權專利

化合物半導體元件金屬接觸製程

創作型式：
發明
專利證號：
TWI256156
發明人：
楊淑萍
國別：
中華民國
獲證日期：
2005/09/19
專利摘要：
本發明係提供化合物半導體元件，以自行對準金屬栓塞，製作金屬接觸，可降低接觸電阻，提高製程良率，縮短製程時間。
IPC國際分類號：
H01L003300