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::: 可授權專利

高電磁穿透複材結構

創作型式：
發明
專利證號：
TWI365811
發明人：
金一凡、陳信宏、林大春、林俊雄、李乘清
國別：
中華民國
獲證日期：
2009/06/23
專利摘要：
本發明揭露一種高電磁穿透複材結構，用以降低電磁波之穿透損失。高電磁穿透複材結構包含第一複合式結構層、第二複合式結構層以及緩衝層。第一複合式結構層具有第一厚度以及第一介電常數。第二複合式結構層具有第二厚度以及第二介電常數。緩衝層設置於第一複合式結構層與第二複合式結構層之間，並具有第三厚度以及第三介電常數。其中電磁波之穿透損失可藉由調整第一厚度、第一介電常數、第二厚度、第二介電常數、第三厚度以及第三介電常數而改變。
IPC國際分類號：
B32B001710