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::: 可授權專利

以奈米壓印形成發光元件之薄膜結構的製造方法METHOD FOR FORMING THIN-FILM STRUCTURE OF LIGHT-EMITTING DEVICE BY NANOIMPRINT

創作型式：
發明
專利證號：
TWI458126
發明人：
古士良、齊正中、吳泰伯、岑尚仁
國別：
中華民國
獲證日期：
2009/12/10
專利摘要：
本發明揭露一種以奈米壓印形成發光元件之薄膜結構的製造方法。根據本發明之製造方法包含下列步驟：首先，獲得該發光元件；接著，旋塗一前趨物於該發光元件上以形成一薄膜；之後，利用奈米壓印技術壓印一圖案至該薄膜；最後，硬化該薄膜，致使該黏滯性材料形成該薄膜結構。
IPC國際分類號：
B29C005902