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::: 可授權專利

LED磊晶結構CONSTRUCTION OF LED EPITAXIAL LAYER

創作型式：
發明
專利證號：
TWI543398
發明人：
郭養國、向嘉頤、古鴻台
國別：
中華民國
獲證日期：
2012/08/03
專利摘要：
一種LED磊晶結構，其為由一第一層薄膜與一第二層薄膜所構成之一磊晶基板。其中，該第一層薄膜及該第二層薄膜分別為一多晶氮化鋁及一單晶氮化鋁，且由於氮化鋁材料具有良好導熱性、絕緣性、機械強度及化學穩定等優點，故以該磊晶基板為基礎，將一單晶氮化鎵薄膜作為一第三層薄膜磊晶於該第二層薄膜上，其中氮化鋁材料與氮化鎵材料有良好的晶格匹配程度和熱膨脹性匹配，因此以該磊晶基板與單晶氮化鎵薄膜所製備成之LED，其發光效率、散熱效率具有達到提升的效果。
IPC國際分類號：
H01L003316