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::: 可授權專利

三維半導體電路結構及其製法A THREE-DIMENSION CONSTRUCTION OF SEMI-CONDUCTOR INTEGRATED CIRCUIT AND THE FABRICATION THEREOF

創作型式：
發明
專利證號：
TWI532100
發明人：
郭養國、向嘉頤、劉明政、江瑞鳳、古鴻台
國別：
中華民國
獲證日期：
2012/08/22
專利摘要：
一種三維半導體電路結構及其製法，其結構係包括：一上方具有第一金屬電路層之基板、一設置於該第一金屬電路層上，並與該第一金屬電路層電性之中介層、及設置於該中介層上之至少一半導體元件，藉由該中介層排除各該半導體元件作動時所產生之溫度，以達到提高半導體元件壽命之目的。
IPC國際分類號：
H01L0021318