專利摘要：
本發明係關於一種具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構與製造方法，其中，該具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構係包括一管狀模板，係由複數個薄膜氧化金屬管所構成；複數個閃爍晶體，係分別填充於該些薄膜氧化金屬管之內；以及一封裝層，係形成於該管狀模板之表面。此外，透過該製造方法，該具有次微米柱狀排列的閃爍晶體結構可經由低成本、可快速生產之陽極處理與壓鑄技術被製得，並且，經由調整電壓、電解液成份、陽極處理時間的變化，可進一步地製得奈米管結構，且其奈米管的孔徑可被控制於10nm至500nm內，厚度也可被控制於0.1至1000μm內，再者，且其管密度可控制於10 8 至1012 管/cm2 內。