*

::: 可授權專利

太陽能電池吸收層之結構及其製造方法

創作型式：
發明
專利證號：
TWI399861
發明人：
吳政翰、蘇程裕、倪國裕、林坤豐
國別：
中華民國
獲證日期：
2007/12/06
專利摘要：
本發明係有關於一種太陽能電池吸收層之結構及其製造方法，該吸收層為一多層膜結構，該多層膜結構包含至少一銅銦合金薄膜及至少一銅鎵合金薄膜，該銅銦合金薄膜與該銅鎵合金薄膜交錯堆疊，經退火處理及硒化處理，得到銅銦鎵硒吸收層，該吸收層之製造方法係控制該銅銦合金靶材及該銅鎵合金靶材之相態及成分比例，進而控制沈積該銅銦合金薄膜及該銅鎵合金薄膜之相態及成分比例，以完成銅銦鎵硒吸收層，並達到低成本、製程穩定、簡便、高品質與高沉積速率之特性。
IPC國際分類號：
H01L003118