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::: 可授權專利

一種提高昇華沉積速率之設備及其方法

創作型式：
發明
專利證號：
TWI513839
發明人：
黃俊彬、熊治勇、馬代良
國別：
中華民國
獲證日期：
2013/12/12
專利摘要：
一種提高昇華沉積速率之設備及其方法包括：一坩堝，其內部具有一沉積區；一散熱元件，部分容嵌入該坩堝並提供縱向的散熱；一絕緣環，圍繞設置在該沉積區周圍；及一熱反射元件，固定於該絕緣環之一側，並具有一傾斜面；其中，該絕緣環的導熱係數低於該坩堝、該散熱元件和該熱反射元件，且該熱反射元件與該熱絕緣環連通。
IPC國際分類號：
C23C001426