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::: 可授權專利

一種二極體元件奈米結構之製備方法

創作型式：
發明
專利證號：
TWI540093
發明人：
吳振名、薄慧雲、林佳詩、倪國裕、蔡岳軒、魏肇男
國別：
中華民國
獲證日期：
2013/12/09
專利摘要：
一種二極體元件奈米結構之製備方法，包括：提供一基板，該基板上成長一鎵摻雜氧化鋅薄膜；利用水熱法成長n型氧化鋅奈米柱體於該鎵摻雜氧化鋅薄膜上；利用溶膠凝膠法成長一p型氧化鋅薄膜於該鎵摻雜氧化鋅薄膜上；其中該p型氧化鋅薄膜完全包覆該n型氧化鋅奈米柱體。藉此，可製備出具有較大的p-n接面接觸面積之二極體元件。
IPC國際分類號：
B82B000300