專利摘要：
本發明係提出一種I-III-VI族化合物薄膜太陽能電池製造方法，其中關於太陽能電池中之p-n接面的製造方法，其特徵在於：係以物理氣相沉積法製作製作一反應層薄膜，接著再以快速退火方法於p型半導體層上形成n型半導體層，此時該n型半導體層與p型半導體層間即具有一p-n接面特性。藉此製成之太陽能電池，可在生產線上達製程一貫性且免除化學水浴製程存在大量廢液回收問題，同時對此製造方法因具備表面蝕刻效果，故可藉此達到縮減製程道次之優勢來提高產能與降低成本，且其太陽能電池亦可維持優良之光電轉換效率。