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::: 可授權專利

I–III–VI族化合物之I–III族前驅物薄膜之製造方法

創作型式:
發明
專利證號:
TWI515317
發明人:
盧永添、陳昇暉、胡松城、彭萬軒、林威廷
國別:
中華民國
獲證日期:
2014/01/15
專利摘要:
本發明係有關於一種太陽能電池之前驅物特性控制方法,該前驅物薄膜包含I-III族之銅、銦、鎵元素或至少銅元素與銦元素,本發明所提供前驅物特性控制方法係先沉積I-III族之銅銦鎵金屬元素薄膜於基板上,接著在真空環境下使用惰性氣體之離子源轟擊銅銦鎵前驅物薄膜,控制該銅銦鎵前驅物薄膜薄膜之晶相型態、成分比例及均勻性,最後經退火處理或硒化處理,得到一銅銦鎵硒吸收層薄膜,進而控制該I-III-VI族化合物之銅銦鎵硒薄膜之晶相型態、成分比例、表面型態及均勻性,並應用於I-III-VI族太陽能電池之製作。
IPC國際分類號:
C23C001422