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::: 可授權專利

具有應力吸收緩衝層之半導體結構及其製造方法

創作型式：
發明
專利證號：
TWI457985
發明人：
張國仁、林家慶
國別：
中華民國
獲證日期：
2011/12/22
專利摘要：
本發明揭示一種具有應力吸收緩衝層之半導體結構及其製造方法，其結構係包含有：一基板、一絕緣層、一緩衝層以及一磊晶層；且該半導體結構係藉由一表面處理技術消除緩衝層之應力，進而達到降低缺陷密度且避免磊晶層剝落之功效。
IPC國際分類號：
H01L002120