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::: 可授權專利

高載子移動率銅銦鎵硒薄膜結構與製作方法

創作型式：
發明
專利證號：
TWI458106
發明人：
蔡尚義、藍文厚、林家慶、徐鈺婷、張國仁
國別：
中華民國
獲證日期：
2011/12/29
專利摘要：
本發明係為一種高載子移動率銅銦鎵硒薄膜結構與製作方法，在銅銦鎵硒薄膜與電極層及之間加入氮化鋁薄膜，藉由改變氮化鋁薄膜之製程參數，調整氮化鋁薄膜達到最佳化之條件，以提高銅銦鎵硒主吸收層之載子遷移率及磊晶品質；以此技術製作之高載子遷移率之銅銦鎵硒薄膜將顯著提升太陽能電池元件之操作特性，有利於銅銦鎵硒太陽能電池產業之發展。
IPC國際分類號：
H01L0031025