專利摘要：
本發明係提供一種用於玻璃基板之硒化製程設備包括設置於腔體中的第一加熱單元；運載加熱模組設置於腔體且位於第一加熱單元下方，運載加熱模組藉由惰性氣體以減少其與玻璃基板之間的接觸所形成之熱痕跡(thermal mark)，並帶動玻璃基板進行運動及對玻璃基板加熱，並藉由惰性氣體之熱對流，以均勻化玻璃基板之熱分佈；硒蒸氣進氣模組與腔體相連接，以將硒蒸氣導入腔體中；以及氣體回收模組與腔體相連接，以回收硒蒸氣以及惰性氣體。另外，本發明設置一上加熱模組，可以適當之波長將大部分能量施加於薄膜上，藉以對薄膜進行快速之昇、降溫。藉此，本發明可避免玻璃基板長時間處於軟化點之上的溫度，亦可依製程之需求提高硒化溫度以降低硒化製程所需時間達到省時之功效，且回收腔體中之硒蒸氣及惰性氣體可再利用以進而降低材料成本。