專利摘要：
本發明係提供一種用於成長多類型化合物之單晶晶體之製備方法，該多類型化合物為碳化矽、氮化物的一種，步驟包括：(A)提供一晶種設置於一沉積區；(B)提供一粉料設置於一高純度源體區；(C)進行一抽氣製程、一加熱製程、一長晶製程、一冷卻製程以製備出單晶晶體；其中，在該長晶製程中利用一加熱源與坩堝的相對移動來控制位於一氣體溫梯控制區內的溫度梯度產生溫度梯度移動，使溫度梯度呈現變動狀態，用以增加氣體溫梯控制區內的溫度梯度及過飽和度，提升晶體生長速率，以降低由晶種背後局部昇華所產生的缺陷持續在後續晶體生長過程中誘發其他缺陷，進而提升晶體品質，製備出高品質之單晶晶體材料。