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::: 可授權專利

氮化物電晶體結構

創作型式：
發明
專利證號：
TWI572036
發明人：
張國仁、楊正春、徐鈺婷、藍文厚、林家慶
國別：
中華民國
獲證日期：
2015/12/08
專利摘要：
本發明係為一種氮化物電晶體結構及其製作方法，藉由在氮化物電晶體結構中插入一層或多層以較低五三比成長之氮化物中間層，進一步改善二維電子氣通道之電子遷移率與載子濃度，來達到提升氮化物電晶體性能之功效。
IPC國際分類號：
H01L002920