專利摘要：
本創作係提供一種批次式鍍膜製程系統，其包含有至少一氣體盤；多數設於氣體盤之前驅物注入管，各前驅物注入管之兩端係分別包括有一前驅物入口及一前驅物出口，各前驅物入口係位於氣體盤中，而各前驅物出口係位於氣體盤之一面上；以及多數設於氣體盤且分別圍繞於各前驅物注入管周圍之排氣管，使各排氣管與各前驅物注入管呈陣列式排列，而各排氣管之兩端係分別包括有一排氣入口及一排氣出口，各排氣入口係位於氣體盤之一面上，而各排氣出口係位於氣體盤中。藉此，可將各前驅物注入管及各排氣管陣列式排列，以縮短基板與各前驅物注入管及各排氣管間之距離，而可快速移除沉積反應後剩餘之氣體，進而有效提升製程之均勻性。