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::: 可授權專利

一種碳化矽基板上製作超薄石墨膜之方法

創作型式：
發明
專利證號：
TWI683916
發明人：
柯政榮、黃俊彬、戴嘉宏、馬代良、虞邦英
國別：
中華民國
獲證日期：
2018/11/27
專利摘要：
一種碳化矽基板上製作超薄石墨膜之方法，步驟包括：(A)提供一聚醯胺酸溶液、一含矽氧烷之耦合試劑於惰性氣體氣氛下聚合成一含矽氧烷耦合基團之聚醯胺酸溶液；(B)將該含矽氧烷耦合基團之聚醯胺酸溶液塗佈於一碳化矽基板後進行一熟化製程；(C)該碳化矽基板設置於一石墨坩堝中，再置入一反應爐中，在惰性氣體氣氛下，進行一碳化製程；(D)將該碳化矽單晶基板進行一石墨化製程以獲得一石墨膜。藉此，可在較低的石墨化溫度下，在碳化矽表面製備出一高品質的超薄石墨薄膜。
IPC國際分類號：
C01B0032205