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::: 可授權專利

一種降低雙面銅鍍層與氮化鋁基板之界面應力累積的方法

創作型式：
發明
專利證號：
TWI667221
發明人：
施政宏、黃宏庭、郭養國、吳俊德
國別：
中華民國
獲證日期：
2018/11/14
專利摘要：
本發明採用黃光微影製程與電鍍製程進行TAV填銅與圖樣化之雙面銅鍍層製作，在TAV穿孔處預先鍍製具對稱結構之雙面銅鍍層作為與氮化鋁基板間的應力緩衝層，再客製化進行後續的銅鍍層圖樣設計，依模擬理論計算佐證如此可有效降低具不對稱結構之雙面銅鍍層TAV氮化鋁基板的應力累積在短邊銅鍍層面，有利於提升氮化鋁基板的可靠度。
IPC國際分類號：
C04B0035581