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::: 可授權專利

具超奈米晶體鑽石層電極結構之氮化物半導體元件

創作型式：
發明
專利證號：
TWI756022
發明人：
林家慶、張國仁、陳志典、劉冠顯、柯文政
國別：
中華民國
獲證日期：
2021/01/13
專利摘要：
本發明係提供一種具超奈米晶體鑽石層電極結構之氮化物半導體元件及其製作方法，藉由在氮化物半導體元件製作過程中，於其電極區域之半導體表面施以圖案化處理，使得超奈米晶體鑽石層能更有效地附著於氮化物半導體表面，此超奈米晶體鑽石層可作為電極層與熱傳導層，來達到提升氮化半導體元件性能之功效。
IPC國際分類號：
H01L002128