專利摘要：
【課題】坩堝内部の温度場分布を測定するための装置を提供する。【解決手段】坩堝内部の温度場分布を測定するための装置であって、上蓋と本体と成長室と材料充填部と、を含む坩堝と、該坩堝外部に設けられる保温材と、該坩堝を加熱するための移動自在の加熱素子と、該上蓋上の複数の穴部を介して該上蓋内部に設けられ、坩堝内部の温度場分布を測定するための耐熱絶縁被覆材で覆われる複数の熱電対と、を含む。これを介して耐熱絶縁被覆材で覆われる複数の熱電対を利用すると、坩堝内部の温度分布を効果的に測定及び調整することで、結晶成長の最適な温度分布を実現できる。【選択図】図１