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年度計畫摘要
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| 計畫名稱 | 光電感測辨識模組與應用技術計畫 | | 執行單位 | 材料暨光電研究所 | | 99年經費 | 59,000千元 | | 99年人力 | 30人年 | | 計畫重點摘要說明 | "99年計畫內容
本計畫於光電感測模組應用技術方面，可逐年藉服務不同領域產業之應用，深化與支援不同應用特徵需求，充分建構感測器、發光元件、光學模組、控制模組及軟體等設計開發能量，以滿足消費性民生系統相關產業隨時、隨地的需要，建立個人化光電輸出入應用平台，擴大應用於消費資訊電子產品。
也藉由「光斑取像技術」一系列專利佈局，該延伸技術提出利用陣列透鏡執行不變形光斑取像，再加上影像重整技術，可得到大面積小裝置之二維不變形光斑取像裝置，有開發大面積精密定位及大面積光斑影像比對、識別之能力。除了突破目前現有產品技術瓶頸外，該技術還可使產品小型化，很適合使用於個人3C產品，如手機上之三維指紋身分識別器、機械手臂精密定位器、雷射滑鼠、手指導覽器、PDA導覽器等應用。 | 99年預期成果
及未來研發成果
之長期效益 | 一、99年預期成果
(一)計畫預計專利申請7件，專利獲證1件、論文6篇(期刊、研討會)及12篇研究報告，產學研合作7件/金額4,600仟元，專利應用1件/收入1,000仟元，技術移轉4件/收入4,000仟元，委託及工業服務2件/金額600仟元，促成廠商投資1件。
(二)完成三維物面影像來求得二維光斑理論影像，理論光斑影像面積10mm × 10mm。由二維光斑理論影像反推算得三維物面特徵理論影像。比較二維光斑理論影像與實驗取得之二維不變形光斑影像，校正出正確二維光斑理論影像產生方法。比較三維物面特徵理論影像與實驗重建之三維物面影像，校正出正確三維物面特徵理論影像產生方法。
(三)完成大面積不變形光斑影像辨識技術(辨識面積10mm × 10mm)。大面積不變形光斑影像精密定位技術(重複定位精度≦5μm)。大面積陣列光斑影像重整技術(陣列影像大於5×5陣列)。
(四)完成雷射光斑二維陣列微型光學讀取頭(擷取面積10 x10mm以上)模組。指紋擷取光斑訊號光學擷取模組。不變形光斑訊號比對與辨識演算法。
(五)達成雙頻段IR偵檢元件技術規格: D*>5×1010 cm-Hz1/2/W@65K、結合MBE或MOCVD業界進行先期製程整合驗證，以感測元件陣列規格同步修正磊晶參數。
二、未來研發成果之長期效益
開發光電感測辨識模組與應用技術，提升工業用精密定位與身份識別創新術，強化光電整合競爭力，促進跨業合作。可逐年藉服務不同領域產業之應用，深化與支援不同應用特徵需求，充分建構感測元件、光學模組、控制模組及辨識軟體等設計能量，拓展個人隨身裝置、精密定位、身份識別等應用市場。開發能量，滿足消費性民生系統相關產業隨時、隨地的需要，降低國外關鍵產品依賴、提高國內產業附加價值、協助產業朝高附加價值升級與轉型。 |
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