年度 | 104 |
計畫名稱 | 高階手持裝置三維整合應用技術計畫 |
執行單位 | 化學研究所 |
技術名稱 | 三維半導體電路結構及其製法 |
技術現況敘述 | 一種三維半導體電路結構及其製法,其結構係包括:一上方具有第一金屬電路層之基板、一設置於該第一金屬電路層上,並與該第一金屬電路層電性之中介層、及設置於該中介層上之至少一半導體元件,藉由該中介層排除各該半導體元件作動時所產生之溫度,以達到提高半導體元件壽命之目的。、 |
技術規格 | 本發明提供一種三維半導體電路結構,其結構係包括,一基板、一中介層及至少一半導體元件,其中,該基板上方形成有一第一金屬電路層,於該第一金屬電路層上設置一中介層,該中介層係具有複數貫穿開孔,於該貫穿開孔內填滿導體,該中介層一側形成有複數導電墊,另一側形成有一第二金屬電路層,透過該導電墊電性連接於該第一金屬電路層,於該中介層上電性連接有至少一半導體元件,其中,該中介層係由一氮化鋁製作而成,藉由該中介層排除各該半導體元件作動時所產生之溫度,及避免各該半導體元件產生高溫狀態及漏電現象,進而提高各該半導體元件之壽命。 |
技術成熟度 | 實驗室階段 |
技術可應用範圍 | 半導體產業。 |
潛力預估 | 藉由該中介層排除各該半導體元件作動時所產生之溫度,以達到提高半導體元件壽命之目的。 |
所需軟硬體設備 | 半導體相關軟硬體設備。 |
需具備之專業人才 | 材料、化學化工相關背景 |
聯絡人員 | 郭養國 |
電子信箱 | ykkuo2002@yahoo.com.tw |
電話 | 03-4712201#358172 |
傳真 | 03-4116381 |
參考網址 | http://www.csistdup.org.tw/ |