::: 科技專案
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::: 技術處科專

可移轉技術

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民國111年
民國112年
民國113年
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【年度】99 年研發成果
【科專】 關鍵技術科專
【領域】 機電運輸
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年度

99
計畫名稱 新世代能源關鍵技術開發計畫
執行單位 材料暨光電研究所
技術名稱奈米結構之製造方法
技術現況敘述利用陽極氧化方法，將鍍於基板之鋁膜製作成具有奈米孔洞結構之氧化鋁膜層，以此為蝕刻遮罩將圖案轉移至基板，形成具有奈米結構圖案之基板，此法可獲得大面積、低成本、快速及可在任何材質製成具奈米結構圖案之基板，已於99/12/24申請中華民國專利，申請案號為99145672。、
技術規格1. 基板尺寸>2吋, 鋁膜厚度 0.1~1um2. 陽極氧化鋁膜孔洞直徑約10~100 nm3. 奈米結構圖案深度0.1~1um
技術成熟度實驗室階段
技術可應用範圍圖案化基板
潛力預估可以低成本製作快速且大面積之奈米尺寸級圖案化基板
所需軟硬體設備電化學設備及半導體製程設備。
需具備之專業人才化工與半導體製程
聯絡人員張國仁
電子信箱hohh@csnet.gov.tw
電話03-4072261#951082
傳真
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