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可移轉技術

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【年度】99 年研發成果
【科專】 關鍵技術科專
【領域】 生醫材化
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年度

99

計畫名稱 先進化學品技術發展與應用四年計畫
執行單位 化學研究所
技術名稱LED封裝用高散熱絕緣基板開發
技術現況敘述高壓高溫方式製造之氮化鋁粉體,經過表面防潮處理,且經由噴霧造粒,製造8英吋晶柱,並使用晶圓製造方式生產晶圓級LED氮化鋁片。、
技術規格8英吋晶圓級氮化鋁基板,TTV<0.3um, Warpage<0.25um,表面粗糙度(Ra)<0.2um。
技術成熟度雛型
技術可應用範圍LED絕緣高導熱基板,DVD/CD讀寫頭絕緣高導熱基板,各類電子元件絕緣高導熱基板。
潛力預估2016年全球LED預估產值885億美元。
所需軟硬體設備油壓成型機,噴霧造粒機,冷均壓機,熱均壓機,氧氣爐,高溫燒結爐(2100℃以上),SEM,TEM,粒徑分析設備,XRD, Laser熱傳導分析儀,三度空間粉末混合機,晶圓加工設備。
需具備之專業人才材料或化工研發與操作人員。
聯絡人員郭養國
電子信箱lcc36@tsrp.org.tw
電話(03)4458172
傳真
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