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公告本院可運用之智慧財產權:一種用於生長特定形狀碳化物之裝置

公告日期:2022/03/03

公告內容說明表

公告名稱

一種用於生長特定形狀碳化物之裝置

技術領域

材料科學

產業應用範圍

半導體材料

公告智權項目

項次

權利類別

智慧財產權名稱

1

專利

一種用於生長特定形狀碳化物之裝置

 

智慧財產權公告摘要:

項次1

智慧財產權名稱

一種用於生長特定形狀碳化物之裝置

權利類別

專利

權利技術簡介(摘要)

一種用於生長特定形狀碳化物之裝置,包括:一坩堝;一料源區,用以放置料源:一沉積區,用以成長晶體;一氣體溫度梯度控制區,其包含一溫度梯度;一加熱元件,係用以加熱該坩堝;一氣流沉積載具,設置於沉積區,該氣流沉積載具係由單一或兩種以上特定形狀重複一次以上排列所組成。藉此,利用氣流沉積載具,可有效控制碳化物形狀及尺寸並提高沉積表面積。

專利申請國別及申請號

中華民國

I675946(獲證)

 

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連絡資訊:

軍民通用中心

朱芷葦 技術師

(03)4712201分機 329507

ipo@ncsist.org.tw

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